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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/53頁 |
| 文件大小： | 665K |
| 代理商： | HYB39S64800 |
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Semiconductor Group
19
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Package Outlines
1) Does not include plastic or metal protrusion of 0.15 max. per side
54x
0.2
M
-
-0.1
-0.2
0.6
0.1
1)
Index Marking
0
1
1
27
1
28
54
+
0
+0.05
0.4
0.8
22.38
0
-
0.2
-
0.13
-
5
O
-0.25
10.16
TSOPII-54 ( 400 mil )
TSOP54-2.DRW
11.76
Plastic Package P-TSOPII-54
( 400mil, 0.8mm lead pitch)
Thin small outline package, SMD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800AT-10 | 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| HYB39S64800AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-8 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S64800AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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