參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S64800
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 64 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 64兆位同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 26/53頁(yè)
文件大小： 665K
代理商： HYB39S64800
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
26
6.2 Write Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
Burst Length = 2, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
READ B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
DIN A0
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
DIN A0
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Input data for the Write is ignored.
Input data must be removed from the DQ’s at least one clock
cycle before the Read data appears on the outputs to avoid
data contention.
don’t care
don’t care
don’t care
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
COMMAND
NOP
NOP
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
NOP
DIN A0
DIN A1
*
DQ’s
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
WR
t
RP
NOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB41256 Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
HYB41256-10 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-12 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-15 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB511000BJ-50 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB39S64800AT-10 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
HYB39S64800AT-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S64800AT-7.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S64800AT-8 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB39S64800AT-8B 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM
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