參數(shù)資料
型號： HYB39S64800
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 64 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 64兆位同步DRAM
文件頁數(shù)： 22/53頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： HYB39S64800
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
(CAS latency = 3)
2. Burst Read Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
ADDRESS
CLK
T0
T
T1
T
T
T
T
COMMAND
NOP
NOP
NOP
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
Write A
with Auto
Bank A
Col. Addr.
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
Bank B
Activate
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
t
RCD
: “H” or “L”
t
RC
t
RRD
Bank B
Row Addr.
COMMAND
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB41256 Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
HYB41256-10 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-12 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-15 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB511000BJ-50 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB39S64800AT-8B 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM
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