- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370792 > HYB39S64800 (SIEMENS AG) 64 MBit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | HYB39S64800 |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
Semiconductor Group
2
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Ordering Information
Type
Pin Description and Pinouts:
Ordering Code
Package
Description
LVTTL-version:
HYB 39S64400AT-8
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 4M x 4 SDRAM PC100-222
HYB 39S64400AT-8B
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 4M x 4 SDRAM PC100-323
HYB 39S64400AT-10
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 4M x 4 SDRAM PC66-222
HYB 39S64800AT-8
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 2M x 8 SDRAM PC100-222
HYB 39S64800AT-8B
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 2M x 8 SDRAM PC100-323
HYB 39S64800AT-10
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 2M x 8 SDRAM PC66-222
HYB 39S64160AT-8
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 1M x 16 SDRAM PC100-222
HYB 39S64160AT-8B
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 1M x 16 SDRAM PC100-323
HYB 39S64160AT-10
P-TSOP-54-2 (400mil)
4B x 1M x 16 SDRAM PC66-222
HYB 39S64xxx0ATL-8/-10
P-TSOP-54-2 (400mil)
Low Power (L-versions)
CLK
Clock Input
DQ
Data Input /Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM, UDQM
Data Mask
CS
Chip Select
Vdd
Power (+3.3V)
RAS
Row Address Strobe
Vss
Ground
CAS
Column Address Strobe
Vddq
Power for DQ’s (+ 3.3V)
WE
Write Enable
Vssq
Ground for DQ’s
A0-A11
Address Inputs
NC
not connected
BA0, BA1
Bank Select
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800AT-10 | 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| HYB39S64800AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-8 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S64800AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。