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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 27/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | HYB39S64800 |
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HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
27
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
COMMAND
READ A
with AP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A0
DOUT A1
*
*
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
t
RP
t
RP
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800AT-10 | 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| HYB39S64800AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-8 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S64800AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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