- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370792 > HYB39S64800 (SIEMENS AG) 64 MBit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 21/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | HYB39S64800 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁當(dāng)前第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
22.1 CAS Latency = 2
22.2 CAS Latency = 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800AT-10 | 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| HYB39S64800AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-8 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S64800AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。