參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S64800
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 64 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 64兆位同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 24/53頁(yè)
文件大?。?/td> 665K
代理商： HYB39S64800
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
T0
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3
T0
COMMAND
NOP
BANK A
ACTIVATE
NOP
READ A
WRITE A
NOP
NOP
NOP
DQM
: “H” or “L”
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
1 Clk Interval
t
DQZ
t
DQW
NOP
READ A
NOP
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
DIN B0
DIN B1
DIN B2
: “H” or “L”
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
COMMAND
Must be Hi-Z before
the Write Command
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
t
DQZ
t
DQW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB41256 Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
HYB41256-10 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-12 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-15 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB511000BJ-50 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB39S64800AT-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
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HYB39S64800AT-8 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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