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參數(shù)資料
| 型號： | celeron CPU with Mobile Module |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | processor Mobile Module Connector 2 (MMC-2) at 466 MHz and 433MHZ(工作頻率466和433兆赫茲帶連接器2處理器) |
| 中文描述： | 移動處理器模塊連接器2（MMC管理- 2），466 MHz和433MHz的（工作頻率466和433兆赫茲帶連接器2處理器） |
| 文件頁數(shù)： | 36/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 410K |
| 代理商： | CELERON CPU WITH MOBILE MODULE |
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Celeron
Processor Mobile Module MMC-2
at 466 MHz and 433 MHz
32
NOTE:
Values shown are for reference only.
Figure 8. Overcurrent Protection Circuit
4.7.4.1
In Figure 8, PWR is the voltage generated by applying the
AC Adaptor or Battery. M1 is a low RDS (on) P-Channel
MOSFET such as a Siliconix* SI4435DY. When the voltage
on PWR is applied and increased to over 4.75 volts, the
UNDER_VOLTAGE_LOCKOUT circuit allows R4 to pull up
Slew-rate Control: Circuit Description
the gate of M3 to start a turn-on sequence. M3 pulls its drain
toward ground forcing current to flow through R2. M1 will not
start to source any current until after t_delay with t_delay
defined as:
t_delay
R.
Vt
Vgs_max
Vpwr
Vgs_max
.
R16
R16 R2
Vpwr
The system manufacturer’s Vgs_max specification of 20
volts must never be exceeded. However, Vgs_max must be
high enough to keep the RDS (on) of the device as low as
possible. After the initial t_delay, M1 will begin to source
current and V_DC will start to ramp up. The ramp up time,
t_ramp, is defined as:
Vsat
Vgs_max
t_ramp
R.
t_delay
Maximum current during the voltage ramping is:
I
.
CtotalVpwr
t_ramp
With the circuit shown in Figure 8: t_delay = 5.53 ms; t_tran = 14.0 ms; and I_max = 146 mA.
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PDF描述 |
|---|---|
| Celeron Processor with mobile | Celeron Processor Mobile Module MMC-1 at 400 MHz, 366 MHz, 333 MHz, and 300 MHz(工作頻率400,366,333,300和266兆赫茲帶移動模塊和連接器1處理器) |
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參數(shù)描述 |
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| CELHK11-1REC5-71165-11-V | 功能描述:CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER 制造商:sensata technologies/airpax 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 |
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