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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F640J5 |
| 英文描述： | Dual-Slot, PCMCIA Analog Power Controller |
| 中文描述： | 28F640J5 -英特爾StrataFlash內(nèi)存技術(shù)，32和64兆比特 |
| 文件頁數(shù)： | 24/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | 28F640J5 |
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INTEL
StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY, 32 AND 64 MBIT
E
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
24
PRELIMINARY
4.2.6
This field provides critical details of the flash device geometry.
Table 11. Device Geometry Definition
Offset
Length
(bytes)
Description
Intel
StrataFlash
Memory
27h
01h
Device Size = 2
N
in number of bytes.
27:
0017h
(64-Mbit)
27:
0016h
(32-Mbit)
28h
02h
Flash Device Interface description
value
meaning
0000h
0002h
x8 asynchronous
x8/x16 asynchronous
28:
29:
0002h
0000h
2Ah
02h
Maximum number of bytes in write buffer = 2
N
2A:
2B:
0005h
0000h
2Ch
01h
Number of Erase Block Regions within device:
bits 7–0 = x
= # of Erase Block Regions
2C:
0001h
2Dh
04h
Erase Block Region Information
bits 15–0 = y
, where y+1 = Number of Erase Blocks
of identical size within region
bits 31–16 = z
, where the Erase Block(s) within this
Region are (z) times 256 bytes
y: 64 Blocks
(64-Mbit)
2D:
2E:
003Fh
0000h
y: 32 Blocks
(32-Mbit)
2D:
2E:
001Fh
0000h
z: (128 KB size)
2F:
0000h
30:
0002h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28LV010RT2DB20 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010RPDB20 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010RPDB25 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
| 28LV010RPDE20 | 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
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