參數(shù)資料
型號(hào)： 28F640J5
英文描述： Dual-Slot, PCMCIA Analog Power Controller
中文描述： 28F640J5 -英特爾StrataFlash內(nèi)存技術(shù)，32和64兆比特
文件頁(yè)數(shù)： 11/53頁(yè)
文件大?。?/td> 306K
代理商： 28F640J5
E
INTEL
StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY, 32 AND 64 MBIT
11
PRELIMINARY
Intel
StrataFlash Memory
56-Lead SSOP
Standard Pinout
16 mm x 23.7 mm
Top View
1
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29
V
PEN
RP#
A
11
A
10
A
9
A
1
A
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A
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A
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A
5
A
6
A
GND
A
8
V
CC
DQ
9
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
2
CE
2
DQ
10
3
DQ
11
GND
V
RP#
A
11
A
10
A
9
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
GND
A
8
V
CC
DQ
9
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
2
CE
2
DQ
10
3
DQ
11
GND
V
PP
RP#
A
11
A
10
A
9
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
GND
A
8
V
CC
DQ
9
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
NC
2
DQ
10
3
DQ
11
GND
28F640J5
28F320J5
28F320S5
28F640J5
28F320J5
Highlights pinout changes.
28F320S5
RYDQ
OE#
WE#
28F160S5
28F016SV
28F016SA
CE
0
A
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A
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A
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A
15
NC
CE
1
A
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A
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A
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A
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A
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A
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V
CC
GND
DQ
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DQ
14
DQ
DQ
15
STS
OE#
WE#
NC
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CCQ
CE
0
A
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A
13
A
14
A
15
A
22
CE
1
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
GND
DQ
6
DQ
14
DQ
7
DQ
15
STS
OE#
WE#
NC
DQ
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CCQ
CE
0
#
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
CE
1
#
A
21
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
GND
DQ
6
DQ
14
DQ
7
15
RYDQ
OE#
WE#
WP#
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
CE
0
#
A
12
A
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A
14
A
15
NC
CE
1
#
NC
A
20
A
19
A
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A
17
A
16
V
CC
GND
DQ
6
DQ
14
DQ
7
15
WP#
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
CE
0
#
A
12
A
13
A
14
A
15
3/5#
CE
1
#
NC
A
20
A
19
A
18
A
17
A
16
V
CC
GND
DQ
6
DQ
14
DQ
7
15
RDQ
OE#
WE#
WP#
13
DQ
5
DQ
12
DQ
4
V
CC
V
PP
RP#
A
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A
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A
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5
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GND
A
8
V
CC
DQ
9
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
NC
2
DQ
10
3
DQ
11
GND
28F160S5
V
PP
RP#
A
11
A
10
A
9
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
GND
A
8
V
CC
DQ
9
1
DQ
8
DQ
0
A
BYTE#
NC
NC
2
DQ
10
3
DQ
11
GND
28F016SV
28F016SA
0606_04
NOTE:
1.
V
(Pin 42) and GND (Pin 15) are not internally connected. For future device revisions, it is recommended that these
pins be connected to their respected power supplies (i.e., Pin 42 = V
CC
and Pin 15 = GND).
For compatibility with future generations of Intel StrataFlash memory, this NC (pin 23) should be connected to GND
2.
Figure 4. SSOP Lead Configuration (64 Mbit and 32 Mbit)
2.0 PRINCIPLES OF OPERATION
The Intel StrataFlash memory devices include an
on-chip WSM to manage block erase, program, and
lock-bit configuration functions. It allows for 100%
TTL-level control inputs, fixed power supplies
during
block
erasure,
configuration, and minimal processor overhead with
RAM-like interface timings.
program,
lock-bit
After initial device power-up or return from
reset/power-down mode (see Bus Operations), the
device defaults to read array mode. Manipulation of
external memory control pins allows array read,
standby, and output disable operations.
Read array, status register, query, and identifier
codes can be accessed through the CUI (Command
User Interface) independent of the V
PEN
voltage.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28LV010RT2DB20 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
28LV010 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
28LV010RPDB20 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
28LV010RPDB25 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
28LV010RPDE20 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F640L18 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory
28F640L30 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30)
28F640P3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
28F640W30 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
28F650 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip
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