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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲(chǔ)器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個(gè)M × 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM的雙列直插存儲(chǔ)器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 8/31頁 |
| 文件大小： | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
8
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on V
DD
Pin Relative to V
SS
................. -1V to +4.6V
Voltage on Inputs, NC or I/ O Pins
Relative to Vss................................................ -1V to +4.6V
Operating Temperature, T
A
(ambient) .......... 0
°
C to +70
°
C
Storage Temperature (plastic)....................-55
°
C to +125
°
C
Power Dissipation ............................................................. 8W
*Stresses greater than those listed under “Absolute Maxi-
mum Ratings” may cause permanent damage to the device.
This is a stress rating only, and functional operation of the
device at these or any other conditions above those indi-
cated in the operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating conditions
for extended periods may affect reliability.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(Notes: 1) (V
DD
= +3.3V
±
0.3V)
PARAMETER/CONDITION
SUPPLY VOLTAGE
INPUT HIGH VOLTAGE: Logic 1; All inputs
INPUT LOW VOLTAGE: Logic 0; All inputs
INPUT LEAKAGE CURRENT:
Any input 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
+ 0.3V
(All other pins not under test = 0V)
SYMBOL
V
DD
V
IH
V
IL
SIZE
ALL
ALL
ALL
8MB
16MB
32MB
8MB
16MB
32MB
8MB
16MB
32MB
ALL
MIN
3
2
-0.5
-2
-2
-4
-8
-16
-32
-4
-8
-16
-5
MAX
3.6
UNITS
V
V
V
NOTES
V
DD
+ 0.3
0.8
2
2
4
8
16
32
4
8
16
5
30
30
CAS0#-CAS7#
I
I
1
μ
A
A0-A10
I
I
2
μ
A
RAS0#, RAS2#
WE0#, WE2#,
OE0#, OE2#
DQ0-DQ63
I
I
3
μ
A
OUTPUT LEAKAGE CURRENT:
DQ is disabled; 0V
≤
V
OUT
≤
V
DD
+ 0.3V
OUTPUT LEVELS:
Output High Voltage (I
OUT
= -2mA)
Output Low Voltage (I
OUT
= 2mA)
I
OZ
μ
A
V
OH
ALL
2.4
–
V
V
OL
ALL
–
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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