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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個M × 64無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 14/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
14
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
SERIAL PRESENCE-DETECT EEPROM OPERATING CONDITIONS
(Notes: 1) (V
DD
= +3.3V
±
0.3V)
PARAMETER/CONDITION
SUPPLY VOLTAGE
INPUT HIGH VOLTAGE: Logic 1; All inputs
INPUT LOW VOLTAGE: Logic 0; All inputs
OUTPUT LOW VOLTAGE: I
OUT
= 3mA
INPUT LEAKAGE CURRENT: V
IN
= GND to V
DD
OUTPUT LEAKAGE CURRENT: V
OUT
= GND to V
DD
STANDBY CURRENT:
SCL = SDA = V
DD
- 0.3V; All other inputs = GND or 3.3V +10%
POWER SUPPLY CURRENT:
SCL clock frequency = 100 KHz
SYMBOL
V
DD
V
IH
V
IL
V
OL
I
LI
I
LO
I
SB
MIN
3
MAX
3.6
UNITS
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
NOTES
V
DD
×
0.7 V
DD
+
0.5
-1
–
–
–
–
V
DD
×
0.3
0.4
10
10
30
I
CC
–
2
mA
SERIAL PRESENCE-DETECT EEPROM AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 1) (V
DD
= +3.3V
±
0.3V)
PARAMETER/CONDITION
SCL LOW to SDA data-out valid
Time the bus must be free before a new transition can start
Data-out hold time
SDA and SCL fall time
Data-in hold time
Start condition hold time
Clock HIGH period
Noise suppression time constant at SCL, SDA inputs
Clock LOW period
SDA and SCL rise time
SCL clock frequency
Data-in setup time
Start condition setup time
Stop condition setup time
WRITE cycle time
SYMBOL
t
AA
t
BUF
t
DH
t
F
t
HD:DAT
t
HD:STA
t
HIGH
t
I
t
LOW
t
R
t
SCL
t
SU:DAT
t
SU:STA
t
SU:STO
t
WR
MIN
0.3
4.7
300
MAX
3.5
UNITS
μ
s
μ
s
ns
ns
μ
s
μ
s
μ
s
ns
μ
s
μ
s
KHz
ns
μ
s
μ
s
ms
NOTES
300
0
4
4
100
4.7
1
100
250
4.7
4.7
10
28
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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