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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲(chǔ)器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個(gè)M × 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM的雙列直插存儲(chǔ)器模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
22
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
READ-WRITE CYCLE
27
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE cycles)
VALID DOUT
VALID DIN
ROW
COLUMN
ROW
V
IL
V
IL
ADDR
V
IL
V
IL
DQ
V
IOL
V
IL
RAS#
OPEN
OPEN
tOE
tOD
tCAC
tRAC
tAA
tCLZ
tDS
tDH
tAWD
tWP
tRWL
tCWL
tCWD
tRWD
tRCS
tASC
tCAH
tAR
tRAD
tRAH
tASR
tCRP
tRCD
tCAS
tRSH
tCSH
tRAS
tRWC
tRP
OE#
tOEH
WE#
tACH
CAS#
DON’T CARE
UNDEFINED
FAST PAGE MODE AND EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5*
-6
SYMBOL
t
AA
t
ACH (EDO)
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD (EDO)
t
AWD (FPM)
t
CAC
t
CAH
t
CAS (EDO)
t
CAS (FPM)
t
CLZ (EDO)
t
CLZ (FPM)
t
CRP
t
CSH (EDO)
t
CSH (FPM)
t
CWD (EDO)
t
CWD (FPM)
t
CWL (EDO)
t
CWL (FPM)
t
DH
t
DS
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
38
0
0
42
–
15
45
0
0
49
55
13/15**
15
8
8
–
0
–
5
10
10
15
0
3
5
45
60
35
40
10
15
10
0
10,000
–
10,000
10,000
38
–
28
–
8
–
8
0
-5*
-6
SYMBOL
t
OD (EDO)
t
OD (FPM)
t
OE
t
OEH (EDO)
t
OEH (FPM)
t
RAC
t
RAD (EDO)
t
RAD (FPM)
t
RAH
t
RAS
t
RCD (EDO)
t
RCD (FPM)
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
RWC (EDO)
t
RWC (FPM)
t
RWD (EDO)
t
RWD (FPM)
t
RWL
t
WP (EDO)
t
WP (FPM)
MIN
0
–
MAX
12
–
12
MIN
0
3
MAX
15
15
15
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
–
10/12***
15
50
60
9
–
9
50
11
–
0
30
13
116
–
67
–
13
5
–
12
15
10
60
14
20
0
40
15
140
155
79
85
15
5
10
10,000
10,000
*
** 8MB DIMM
***16MB DIMM
EDO version only
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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