參數(shù)資料
型號(hào)： MT4LDT464AG
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲(chǔ)器模塊)
中文描述： 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個(gè)M × 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM的雙列直插存儲(chǔ)器模塊）
文件頁數(shù)： 1/31頁
文件大小： 439K
代理商： MT4LDT464AG
1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
1
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
FEATURES
JEDEC pinout in a 168-pin, dual in-line memory
module (DIMM)
8MB (1 Meg x 64), 16MB (2 Meg x 64) and
32MB (4 Meg x 64)
Nonbuffered
High-performance CMOS silicon-gate process
Single +3.3V
±
0.3V power supply
All inputs, outputs and clocks are TTL-compatible
Refresh modes: RAS#-ONLY, CAS#-BEFORE-RAS#
(CBR) and HIDDEN
FAST-PAGE-MODE (FPM) or Extended Data-Out
(EDO) PAGE MODE access cycles
1,024-cycle refresh (10 row, 10 column addresses)
[MT4LD(T)164A(X)]
2,048-cycle refresh (11 row, 10 column addresses)
[MT8LD264A(X)]
2,048-cycle refresh (11 row, 11 column addresses)
[MT16LD464A(X)]
Serial presence-detect (SPD)
OPTIONS
Components
SOJ
TSOP (1 Meg x 64 only)
MARKING
D
DT
Package
168-pin DIMM (gold)
G
Timing
50ns access
60ns access
-5*
-6
Access Cycles
FAST PAGE MODE
EDO PAGE MODE
None
X
*EDO version only
PIN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
SYMBOL
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
DD
WE0#
CAS0#
CAS1#
RAS0#
OE0#
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
NC**/A10
NC (A12)
V
DD
V
DD
RFU
PIN
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
SYMBOL
V
SS
OE2#
RAS2#
CAS2#
CAS3#
WE2#
V
DD
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
NC
RFU
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
SDA
SCL
V
DD
PIN
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
SYMBOL
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
DD
RFU
CAS4#
CAS5#
NC
RFU
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
NC (A11)
NC (A13)
V
DD
RFU
RFU
PIN
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
SYMBOL
V
SS
RFU
NC
CAS6#
CAS7#
RFU
V
DD
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
NC
RFU
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
NC
NC
SA0
SA1
SA2
V
DD
**1 Meg x 64 version only
PIN ASSIGNMENT (Front View)
168-Pin DIMM
DRAM
MODULE
MT4LDT164A(X), MT8LD264A(X),
MT16LD464A(X)
For the latest data sheet revisions, please refer to the Micron
Web site: www.micron.com/mti/msp/html/datasheet.html
NOTE:
Pin symbols in parentheses are not used on these modules but may be used
for other modules in this product family. They are for reference only.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT54V512H18A 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT54V512H18E 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L1MY18P 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55V1MV18P 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L512L18F 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT4LDT464AG-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-5X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-6X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LDT464H 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE
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