參數(shù)資料
型號(hào): MT4LDT464AG
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲(chǔ)器模塊)
中文描述: 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽(4個(gè)M × 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM的雙列直插存儲(chǔ)器模塊)
文件頁數(shù): 27/31頁
文件大小: 439K
代理商: MT4LDT464AG
1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
27
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
RAS#-ONLY REFRESH CYCLE
27
ROW
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
RAS#
tRC
tRAS
tRP
tCRP
tASR
tRAH
ROW
OPEN
DQ
V
OL
tRPC
WE#
V
IL
CBR REFRESH CYCLE
27
(Addresses, OE# = DON’T CARE)
tRP
V
IL
RAS#
tRAS
NOTE 1
OPEN
tCHR
tCSR
V
IL
V
OL
CAS#
DQ
tRP
tRAS
tRPC
tCSR
tRPC
tCHR
tCP
V
IL
tWRP
tWRH
WE#
tWRP
tWRH
DON’T CARE
UNDEFINED
FAST PAGE MODE AND EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5*
-6
SYMBOL
t
ASR
t
CHR
t
CP
t
CRP
t
CSR
t
RAH
t
RAS
MIN
0
8
8
5
5
9
50
MAX
MIN
0
10
10
5
5
10
60
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10,000
10,000
-5*
-6
SYMBOL
t
RC (FPM)
t
RC (EDO)
t
RP
t
RPC (FPM)
t
RPC (EDO)
t
WRH
t
WRP
MIN
84
30
5
8
8
MAX
MIN
110
104
40
0
5
10
10
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*EDO version only
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT54V512H18A 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb,流水線式,同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT54V512H18E 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb,流水線式,同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L1MY18P 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55V1MV18P 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
MT55L512L18F 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT4LDT464AG-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-5X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-6X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LDT464H 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE