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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個M × 64無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 16/31頁 |
| 文件大小： | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
16
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
NOTES (continued)
28. The SPD EEPROM WRITE cycle time (
t
WR) is the
time from a valid stop condition of a write sequence
to the end of the EEPROM internal erase/ program
cycle. During the WRITE cycle, the EEPROM bus
interface circuit is disabled, SDA remains HIGH due
to pull-up resistor, and the EEPROM does not
respond to its slave address.
29. If OE# is tied permanently LOW, LATE WRITE or
READ-MODIFY-WRITE operations are not possible.
30. V
IH
overshoot: V
IH
(MAX) = V
DD
+ 2V for a pulse
width
≤
10ns, and the pulse width cannot be greater
than one third of the cycle rate. V
IL
undershoot: V
IL
(MIN) = -2V for a pulse width
≤
10ns, and the pulse
width cannot be greater than one third of the cycle
rate.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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