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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個M × 64無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 23/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
23
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
FAST/EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY-WRITE cycles)
NOTE:
1.
t
PC is for LATE WRITE cycles only.
*
** 8MB DIMM
***16MB DIMM
EDO version only
DON’T CARE
UNDEFINED
tOE
tOE
tOE
OPEN
DOUT
DIN
VALID
VALID
VDIN
VALID
DIN
OPEN
tDH
tDS
tAA
tCPA
tCLZ
tCAC
tDH
tDS
tAA
tCPA
tCLZ
tCAC
tDH
tDS
tAA
tCLZ
tCAC
tRAC
tWP
tCWL
tRWL
tCWD
tAWD
tWP
tCWL
tCWD
tAWD
tWP
tCWL
tCWD
tAWD
tRCS
tRWD
tASR
tRAH
tASC
tRAD
tAR
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tCAH
tCP
tCAS
tRSH
tCP
tRP
tRASP
tCAS
tCP
tCAS
tRCD
tCSH
tPC
tCRP
ROW
COLUMN
COLUMN
COLUMN
ROW
V
IL
CAS#
V
IL
ADDR
V
IL
V
VIH
IL
DQ
V
IOL
V
IL
RAS#
OE#
WE#
tPRWC
tOEH
tOD
tOD
tOD
NOTE 1
FAST PAGE MODE AND EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5*
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD (EDO)
t
AWD (FPM)
t
CAC
t
CAH
t
CAS (EDO)
t
CAS (FPM)
t
CLZ (EDO)
t
CLZ (FPM)
t
CP
t
CPA
t
CRP
t
CSH (EDO)
t
CSH (FPM)
t
CWD (EDO)
t
CWD (FPM)
t
CWL (EDO)
t
CWL (FPM)
t
DH
t
DS
t
OD (EDO)
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
38
0
0
42
–
45
0
0
49
55
13/15**
15
8
8
–
0
–
8
10
10
15
0
3
10
10,000
–
10,000
10,000
28
35
5
5
38
–
28
–
8
–
8
0
0
45
60
35
40
10
15
10
0
0
12
15
-5*
-6
SYMBOL
t
OD (FPM)
t
OE
t
OEH (EDO)
t
OEH (FPM)
t
PC (EDO)
t
PC (FPM)
t
PRWC (EDO)
t
PRWC (FPM)
t
RAC
t
RAD (EDO)
t
RAD (FPM)
t
RAH
t
RASP
t
RCD (EDO)
t
RCD (FPM)
t
RCS
t
RP
t
RSH
t
RWD (EDO)
t
RWD (FPM)
t
RWL
t
WP (EDO)
t
WP (FPM)
MIN
–
MAX
–
12
MIN
3
MAX
15
15
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
–
20
–
47
–
10/12***
15
25
35
56
85
50
60
9
–
9
50
11
–
0
30
13
67
–
13
5
–
12
15
10
60
14
20
0
40
15
79
85
15
5
10
125,000
125,000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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