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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LDT464AG |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| 中文描述： | 4梅格× 64 Nonbuffered內(nèi)存插槽（4個(gè)M × 64無緩沖動(dòng)態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 10/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 439K |
| 代理商： | MT4LDT464AG |
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1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
10
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
FAST PAGE MODE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Notes: 5, 6, 7, 8, 9, 12, 29) (V
DD
= +3.3V
±
0.3V)
AC CHARACTERISTICS - FAST PAGE MODE OPTION
PARAMETER
Access time from column address
Column-address hold time (referenced to RAS#)
Column-address setup time
Row-address setup time
Column address to WE# delay time
Access time from CAS#
Column-address hold time
CAS# pulse width
CAS# hold time (CBR Refresh)
CAS# to output in Low-Z
CAS# precharge time
Access time from CAS# precharge
CAS# to RAS# precharge time
CAS# hold time
CAS# setup time (CBR Refresh)
CAS# to WE# delay time
WRITE command to CAS# lead time
Data-in hold time
Data-in setup time
Output disable
Output enable
OE# hold time from WE# during READ-MODIFY-WRITE cycle
Output buffer turn-off delay
OE# setup prior to RAS# during HIDDEN REFRESH cycle
FAST-PAGE-MODE READ or WRITE cycle time
FAST-PAGE-MODE READ-WRITE cycle time
Access time from RAS#
RAS# to column-address delay time
Row-address hold time
RAS# pulse width
RAS# pulse width (FAST PAGE MODE)
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHR
t
CLZ
t
CP
t
CPA
t
CRP
t
CSH
t
CSR
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
OFF
t
ORD
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RAS
t
RASP
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
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ns
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ns
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ns
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ns
ns
ns
ns
NOTES
45
0
0
55
23
14
15
10
15
10
3
10
10,000
4
25
15
35
5
60
5
40
15
10
0
3
4
23
22
22
15
15
15
3
0
35
85
15
19, 25, 26
60
13
17
15
10
60
60
10,000
125,000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55L512L18F | 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-5X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464AG-6X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LDT464H | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE |
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