參數(shù)資料
型號: MT4LDT464AG
廠商: Micron Technology, Inc.
英文描述: 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊)
中文描述: 4梅格× 64 Nonbuffered內存插槽(4個M × 64無緩沖動態(tài)RAM的雙列直插存儲器模塊)
文件頁數(shù): 26/31頁
文件大?。?/td> 439K
代理商: MT4LDT464AG
1, 2, 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs
DM67.p65 – Rev. 6/98
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1998, Micron Technology, Inc.
26
1, 2, 4 MEG x 64
NONBUFFERED DRAM DIMMs
OBSOLETE
EDO READ CYCLE
(with WE#-controlled disable)
tCLZ
tCAC
tRAC
tAA
VALID DATA
OPEN
tRCH
tRCS
tASC
tRAH
tRAD
tAR
tCAH
tRCD
tCAS
tCSH
tCRP
tASR
ROW
OPEN
RAS#
V
IL
V
IL
ADDR
V
IL
DQ
V
OL
V
IL
tOD
tOE
OE#
V
IL
COLUMN
WE#
tWHZ
tWPZ
tCP
tASC
tRCS
COLUMN
tCLZ
DON’T CARE
UNDEFINED
CAS#
-5
-6
SYMBOL
t
OD
t
OE
t
RAC
t
RAD
t
RAH
t
RCD
t
RCH
t
RCS
t
WHZ
t
WPZ
MIN
0
MAX
12
12
50
MIN
0
MAX
15
15
60
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
9
11
0
0
0
10
12
10
14
0
0
0
10
12
15
EDO PAGE MODE
TIMING PARAMETERS
-5
-6
SYMBOL
t
AA
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CLZ
t
CP
t
CRP
t
CSH
MIN
MAX
25
MIN
MAX
30
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
38
0
0
45
0
0
13/15*
15
8
8
0
8
5
10
10
0
10
5
45
10,000
10,000
38
*8MB DIMM
相關PDF資料
PDF描述
MT54V512H18A 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb,流水線式,同步脈沖靜態(tài)存儲器)
MT54V512H18E 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb,流水線式,同步脈沖靜態(tài)存儲器)
MT55L1MY18P 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器)
MT55V1MV18P 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器)
MT55L512L18F 8Mb: 512K x 18,Flow-Through ZBT SRAM(8Mb流通式同步靜態(tài)存儲器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MT4LDT464AG-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-5X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module
MT4LDT464AG-6X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
MT4LDT464H 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:SMALL-OUTLINE DRAM MODULE