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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H128M8HQ-187ELAT:E |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 72/133頁 |
| 文件大?。?/td> | 9170K |
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ODT DC Electrical Characteristics
Table 13: ODT DC Electrical Characteristics
All voltages are referenced to VSS
Parameter
Symbol
Min
Nom
Max
Units
Notes
RTT effective impedance value for 75Ω setting
EMR (A6, A2) = 0, 1
RTT1(EFF)
60
75
90
Ω
RTT effective impedance value for 150Ω setting
EMR (A6, A2) = 1, 0
RTT2(EFF)
120
150
180
Ω
RTT effective impedance value for 50Ω setting
EMR (A6, A2) = 1, 1
RTT3(EFF)
40
50
60
Ω
Deviation of VM with respect to VDDQ/2
ΔVM
–6
–
6
%
Notes: 1. RTT1(EFF) and RTT2(EFF) are determined by separately applying VIH(AC) and VIL(DC) to the ball
being tested, and then measuring current, I(VIH[AC]), and I(VIL[AC]), respectively.
2. Minimum IT and AT device values are derated by six percent when the devices operate
between –40°C and 0°C (TC ).
3. Measure voltage (VM) at tested ball with no load.
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
ODT DC Electrical Characteristics
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. S 10/09 EN
43
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC2M32B1TG-7 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| MT48LC32M4A2P-7ELIT:G | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| MT55L256L18FT-12TR | 256K X 18 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L256L32FT-12 | 256K X 32 ZBT SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| MT55L512V18PF-6 | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H128M8HQ-25AT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
| MT47H128M8HQ-25EAT | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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