參數(shù)資料
型號： KAB04D100M-TLGP
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Multi-Chip Package MEMORY
中文描述： 多芯片封裝存儲器
文件頁數(shù)： 63/72頁
文件大?。?/td> 1378K
代理商： KAB04D100M-TLGP
KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 63 -
MCP MEMORY
SEC Only
NAND FLASH READ2 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
F
CLE
R/B
F
DQ
x
WE
ALE
RE
50h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
23
Dout
256+M
Dout 264
M Address
A
0
~ A
2
: Valid Address
A
3
~ A
7
: "L"
Dout
256+M+1
t
AR
t
R
t
WB
t
RR
≈
≈
≈
Selected
Row
Start
address M
256
8
NAND FLASH PAGE PROGRAM OPERATION
CE
F
CLE
R/B
F
DQ
x
WE
ALE
RE
80h
70h
DQ
0
Din
N
1 up to 264 Word Data
Serial Input
Din
N+1
Din
264
10h
A
0
~ A
7
A
17
~ A
23
A
9
~ A
16
Sequential Data
Input Command
Column
Address
Page(Row)
Address
Program
Command
Read Status
Command
DQ
0
=0 Successful Program
DQ
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
≈
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KAB04D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB01D100M Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB02D100M-TLGP Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB01D100M-TNGP CONNECTOR ACCESSORY
KAB02D100M-TNGP CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KAB04D100M-TNGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB-1 功能描述:保險絲 TRON RECTIFIER FUSE RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
KAB-1/2 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE
KAB-10 功能描述:保險絲 10A RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
KAB-100 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:
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