參數(shù)資料
型號(hào)： KAB04D100M-TLGP
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Multi-Chip Package MEMORY
中文描述： 多芯片封裝存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 55/72頁(yè)
文件大?。?/td> 1378K
代理商： KAB04D100M-TLGP
KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 55 -
MCP MEMORY
SEC Only
Data Polling During Internal Routine Operation
NOR Flash SWITCHING WAVEFORMS
Parameter
Symbol
70ns
80ns
Unit
Min
Max
Min
Max
Program/Erase Valid to R/B
R
Delay
t
BUSY
90
-
90
-
ns
Chip Enable Access Time
t
CE
-
70
-
80
ns
Output Enable Time
t
OE
-
25
-
25
ns
CE
R
& OE Disable Time
t
DF
-
16
-
16
ns
Output Hold Time from Address, CE
R
or OE
t
OH
0
-
0
-
ns
OE Hold Time
t
OEH2
10
-
10
-
ns
OE
t
CE
t
OEH2
CE
R
DQ7
WE
t
OE
HIGH-Z
t
DF
NOTE:
*DQ7=Vaild Data (The device has completed the internal operation).
DQ7
*DQ7 = Valid Data
t
OH
t
PGM
or t
BERS
HIGH-Z
Valid Data
DQ0-DQ6
Data In
Data In
WE
R/B
R
Timing Diagram During Program/Erase Operation
The rising edge of the last WE signal
CE
R
R/B
R
t
BUSY
Entire progrming
or erase operation
Status Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KAB04D100M-TNGP Multi-Chip Package MEMORY
KAB01D100M Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB02D100M-TLGP Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel
KAB01D100M-TNGP CONNECTOR ACCESSORY
KAB02D100M-TNGP CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KAB04D100M-TNGP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Multi-Chip Package MEMORY
KAB-1 功能描述:保險(xiǎn)絲 TRON RECTIFIER FUSE RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險(xiǎn)絲類型:Fast Acting 保險(xiǎn)絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
KAB-1/2 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:TRON RECTIFIER FUSE
KAB-10 功能描述:保險(xiǎn)絲 10A RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險(xiǎn)絲類型:Fast Acting 保險(xiǎn)絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
KAB-100 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:
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