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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N26323AE-GC20 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | K4N26323AE-GC20 |
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- 37 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
AC CHARACTERISTICS (I)
Note : 1. For normal write operation, even numbers of Din are to be written inside DRAM
Parameter
Symbol
-20 (GF1000)
Min
22
27
15
8
5
7
5
5
4
2
4
-22 (GF900)
Min
21
25
14
8
5
7
5
5
4
2
4
-25 (GF800)
Min
18
22
12
7
4
6
4
4
4
2
4
Unit
Max
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
Row cycle time
Refresh row cycle time
Row active time
RAS to CAS delay for Read
RAS to CAS delay for Write
Row precharge time
Row active to Row active
Last data in to Row precharge
Last data in to Read command
Col. address to Col. address
Mode register set cycle time
Auto precharge write recovery +
Precharge
Exit self refresh to any command
Power down exit time
Refresh interval time
tRC
tRFC
tRAS
tRCDRD
tRCDWR
tRP
tRRD
tWR
tCDLR
tCCD
tMRD
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tCK
tDAL
12
-
12
-
10
-
tCK
tXSA
tPDEX
tREF
20000
4tCK+tIS
7.8
-
-
-
20000
4tCK+tIS
7.8
-
-
-
20000
4tCK+tIS
7.8
-
-
-
tCK
ns
us
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC22 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
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| K4N28 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
| K4N29 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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