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參數(shù)資料
| 型號： | K4N26323AE-GC20 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 34/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | K4N26323AE-GC20 |
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- 34 -
Rev. 1.7 (Jan. 2003)
128M GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
=2.5V±0.1V, T
j
= 0 to 100
°
C)
Parameter
Value
Unit
Note
Input reference voltage for CK(for single)
0.50*V
DDQ
V
CK and CK signal maximum peak swing
1.5
V
CK signal minimum slew rate
1.0
V/ns
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.25/V
REF
-0.25
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing measurement reference level
1/2
V
DDQ
V
Output load condition
See Fig.1
Output
C
LOAD
=10pF
(Fig. 1) Output Load Circuit
Z0=60
V
REF
=0.5*V
DDQ
CAPACITANCE
(V
DD
=2.5V, T
A
= 25
°
C,
f=1MHz)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance (
CK, CK )
C
IN1
3.0
5
pF
Input capacitance (A
0
~A
10
, BA
0
~BA
1
)
C
IN2
3.0
5
pF
Input capacitance
(
CKE, CS, RAS,CAS, WE )
C
IN3
3.0
5
pF
Data & DQS input/output capacitance(DQ
0
~DQ
31
)
C
OUT
3.0
5
pF
Input capacitance(DM0 ~ DM3)
C
IN4
3.0
5
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC22 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N26323AE-GC22 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N26323AE-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR2 SDRAM |
| K4N27 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
| K4N28 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
| K4N29 | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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