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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L128160BF |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 針對移動應(yīng)用的DRAM 128 - Mbit的移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1399K |
| 代理商： | HYB18L128160BF |
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Data Sheet
30
Rev. 1.71, 2007-01
05282004-NZNK-8T0D
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Functional DescriptionCommands
Figure 28
Random WRITE Bursts
Non-consecutive WRITE bursts are shown in
Figure 29
.
Figure 29
Non-Consecutive WRITE Bursts
2.4.6.1
WRITE Burst Termination
Data from any WRITE burst may be truncated using the BURST TERMINATE command (see
Page 34
), provided
that Auto Precharge was not activated. The input data provided coincident with the BURST TERMINATE
command will be ignored. This is shown in
Figure 30
. The BURST TERMINATE command may be used to
terminate a full-page WRITE which does not self-terminate.
"A ! #OL N ETC
$) N ETC
"URST ,ENGTH
SUBSEQUENT ELEMENTS OF $ATA )N ARE PROVIDED IN THE PROGRAMMED ORDER FOLLOWING $) M
"ANK ! #OLUMN N ETC
$ATA )N TO COLUMN N ETC
IN THE CASE SHOWN BURSTS ARE TERMINATED BY CONSECUTIVE 72)4% COMMANDS
$ONgT #ARE
#,+
#OMMAND
./0
./0
./0
./0
./0
72)4%
72)4%
72)4%
72)4%
!DDRESS
"A !
#OL M
"A !
#OL X
"A !
#OL A
"A !
#OL N
$1
$) N
$) A
$) X
$) M
$) M
$) M
$) M
"A ! #OL N B
$) N B
"URST ,ENGTH
SUBSEQUENT ELEMENTS OF $ATA )N ARE PROVIDED IN THE PROGRAMMED ORDER FOLLOWING $) N B
"ANK ! #OLUMN N B
$ATA )N TO COLUMN N B
IN THE CASE SHOWN
$ONgT #ARE
#,+
72)4%
#OMMAND
./0
./0
./0
./0
./0
./0
./0
72)4%
#OL N
!DDRESS
#OL B
$) B
$1
$) N
$) N
$) N
$) N
$) B
$) B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18L256160B | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L128160BF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L128160BF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160B | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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