- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52RD328DC (Hitachi,Ltd.) 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RD328DC |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 256 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（256 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 46/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 885K |
| 代理商： | HB52RD328DC |
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HB52RD328DC-F
46
Read with auto precharge to Write command interval
Different bank:
When some banks are in the active state, the second write command (another bank) is
executed. However, DQMB must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second command.
Read with Auto Precharge to Write Command Interval
(Different bank)
CK
Command
BA
Dout
Din
CL = 2
CL = 3
READ A
WRIT
in B0
in B1
in B2
in B3
Burst Length = 4
bank0
Read A
bank3
Write
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQMB
High-Z
2. Same bank:
The consecutive write command from read with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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