參數(shù)資料
型號(hào)： HB52RD328DC
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM)
中文描述： 256 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（256 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM）
文件頁(yè)數(shù)： 29/68頁(yè)
文件大?。?/td> 885K
代理商： HB52RD328DC
HB52RD328DC-F
29
Current state
S
RE
CE
W
Address
Command
Operation
Write with auto-
precharge
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end and
precharge
L
H
H
H
×
NOP
Continue burst to end and
precharge
L
H
H
L
×
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
ILLEGAL*
4
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
ILLEGAL*
4
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
4
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Refresh (auto-
refresh)
H
×
×
×
×
DESL
Enter IDLE after t
RC
L
H
H
H
×
×
NOP
Enter IDLE after t
RC
Enter IDLE after t
RC
ILLEGAL*
5
L
H
H
L
BST
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A
L
H
L
L
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
ILLEGAL*
5
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
5
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
5
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Notes: 1. H: V
IH
. L: V
IL
.
×
: V
IH
or V
IL
.
The other combinations are inhibit.
2. An interval of t
DPL
is required between the final valid data input and the precharge command.
3. If t
RRD
is not satisfied, this operation is illegal.
4. Illegal for same bank, except for another bank.
5. Illegal for all banks.
6. NOP for same bank, except for another bank.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RF1289E2-75B x72 SDRAM Module
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HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52RF329E2 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52RF648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HB52RD328DC-B6FL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
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