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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RD328DC |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 256 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（256 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 19/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 885K |
| 代理商： | HB52RD328DC |
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HB52RD328DC-F
19
Notes: 1. AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.5 V.
2. Access time is measured at 1.5 V. Load condition is CL = 50 pF.
3. t
LZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4. t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5. t
CES
define CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
6. t
AS
/t
AH
: Address, t
CS
/t
CH
:
S
,
RE
,
CE
,
W
, DQMB
t
DS
/t
DH
: Data-in, t
CES
/t
CEH
: CKE
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.5 V
Input waveform and output load: See following figures
t
T
2.4 V
0.4 V0.8 V
2.0 V
input
t
T
I/O
CL
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