參數(shù)資料
型號(hào)： HB52RD328DC
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM)
中文描述： 256 MB的無(wú)緩沖內(nèi)存的SODIMM（256 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM）
文件頁(yè)數(shù)： 20/68頁(yè)
文件大?。?/td> 885K
代理商： HB52RD328DC
HB52RD328DC-F
20
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
HB52RD328DC
Parameter
-A6F/A6FL/B6F/B6FL
Frequency (MHz)
100
t
CK
(ns)
Active command to column command
(same bank)
HITACHI
Symbol
PC100
Symbol
10
Notes
l
RCD
2
1
Active command to active command
(same bank)
l
RC
7
= [l
RAS
+ l
RP
]
1
Active command to precharge command
(same bank)
l
RAS
5
1
Precharge command to active command
(same bank)
l
RP
2
1
Write recovery or data-in to precharge
command (same bank)
l
DPL
Tdpl
1
1
Active command to active command
(different bank)
l
RRD
2
1
Self refresh exit time
l
SREX
l
APW
Tsrx
1
2
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
Tdal
3
= [l
DPL
+ l
RP
]
Self refresh exit to command input
l
SEC
7
= [l
RC
]
3
Precharge command to high impedance
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
l
HZP
l
HZP
l
APR
Troh
2
Troh
3
Last data out to active command
(auto precharge) (same bank)
1
Last data out to precharge (early precharge)
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
l
EP
l
EP
l
CCD
l
WCD
l
DID
l
DOD
l
CLE
l
RSA
–1
–2
Column command to column command
Tccd
1
Write command to data in latency
Tdwd
0
DQMB to data in
Tdqm
0
DQMB to data out
Tdqz
2
CKE to CK disable
Tcke
1
Register set to active command
Tmrd
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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