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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RD328DC |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 256 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（256 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 38/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 885K |
| 代理商： | HB52RD328DC |
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HB52RD328DC-F
38
Write with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing
a burst write or single write operation, a precharge command need not be executed after each write operation.
The command executed for the same bank after the execution of this command must be the bank active
(ACTV) command. In addition, an interval of l
APW
is required between the final valid data input and input of
next command.
Burst Write (Burst Length = 4)
CK
Command
Din
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in0
in1
in2
in3
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
Single Write
CK
Command
Din
l
APW
I
RAS
ACTV
WRIT A
in
ACTV
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command
and internal precharge " ".
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