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參數(shù)資料
| 型號： | SH7144 |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Hitachi SuperH RISC engine |
| 中文描述： | 日立的SuperH RISC引擎 |
| 文件頁數(shù)： | 735/773頁 |
| 文件大?。?/td> | 4187K |
| 代理商： | SH7144 |
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Rev. 2.0, 09/02, page 695 of 732
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Remarks
Erase
Wait time after SWE bit setting
*
1
t
sswe
t
sesu
t
se
1
1
—
μs
Wait time after ESU bit setting
*
1
100
100
—
μs
Wait time after E bit setting
*
1,
*
5
10
10
100
ms
Erase time
wait
Wait time after E bit clear
*
1
t
ce
t
cesu
t
sev
10
10
—
μs
Wait time after ESU bit clear
*
1
10
10
—
μs
Wait time after EV bit setting
*
1
20
20
—
μs
Wait time after H'FF dummy write
*
1
t
sevr
t
cev
t
cswe
N
2
2
—
μs
Wait time after EV bit clear
*
1
4
4
—
μs
Wait time after SWE bit clear
*
1
100
100
—
μs
Maximum erase count
*
1,
*
5
12
—
120
Times
Notes: 1. Make each time setting in accordance with the program/program-verify algorithm or
erase/erase-verify algorithm.
2. Programming time per 128 bytes (shows the total period for which the P-bit in the flash
memory control register (FLMCR1) is set. It does not include the programming
verification time.)
3. 1-Block erase time (shows the total period for which the E-bit in FLMCR1 is set. It does
not include the erase verification time.)
4. To specify the maximum programming time value (tp (max)) in the 128-bytes
programming algorithm, set the max. value (1000) for the maximum programming count
(N).
The wait time after P bit setting should be changed as follows according to the value of
the programming counter (n).
Programming counter (n) = 1 to 6:
Programming counter (n) = 7 to 1000: t
sp200
=
200
μ
s
[In additional programming]
Programming counter (n) = 1 to 6:
5. For the maximum erase time (t
(max)), the following relationship applies between the
wait time after E bit setting (t
se
) and the maximum erase count (N):
t
E
(max) = Wait time after E bit setting (t
se
) x maximum erase count (N)
To set the maximum erase time, the values of (t
se
) and (N) should be set so as to satisfy
the above formula.
Examples: When t
se
= 100 ms, N = 12 times
When t
se
= 10 ms, N = 120 times
6. The minimum times that all characteristics after rewriting are guaranteed. (A range
between 1 and minimum value is guaranteed.)
7. The reference value at 25
°
C. (Normally, it is a reference that rewriting is enabled up to
this value.)
t
sp30
=
30
μ
s
t
sp10
=
10
μ
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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