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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00S009M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM × 2 |
| 文件頁數(shù)： | 77/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M-D411 |
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MCP MEMORY
77
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
1
2
3
4
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6
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CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Ra
CL=2
Row Active
(A-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
*NOTE:
1. Any command to A-bank is not allowed in this period.
t
RP
is determined from at auto precharge start point
BA0
DQM
DQ
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Ca
Rb
*Note1
Cb
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Rb
Qa1
Qa0
Qa2
Qa3
Qb1
Qb0
Qb2
Qb3
Qa1
Qa0
Qa2
Qa3
Qb1
Qb0
Qb2
Qb3
Ra
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2505 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
| KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T | 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T |
| KB-F100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 200mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
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