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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00S009M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動SDRAM × 2 |
| 文件頁數(shù)： | 65/86頁 |
| 文件大小： | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M-D411 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁當前第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁
MCP MEMORY
65
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
FUNCTION TRUTH TABLE (TABLE 1)
Current
State
CS
RAS
CAS
WE
BA
Address
Action
Note
IDLE
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
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X
H
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X
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L
X
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L
L
X
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X
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X
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H
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L
X
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H
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L
X
H
H
L
L
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L
X
H
H
L
L
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H
L
X
H
H
L
L
H
H
L
X
H
H
L
H
L
X
H
H
L
H
L
X
H
L
X
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
H
L
H
L
X
X
H
L
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
NOP
NOP
ILLEGAL
2
2
BA
BA
BA
X
CA, A
10
/AP ILLEGAL
RA
A
10
/AP
X
OP code
X
X
X
CA, A
10
/AP Begin Read ; latch CA ; determine AP
CA, A
10
/AP Begin Read ; latch CA ; determine AP
RA
ILLEGAL
A
10
/AP
Precharge
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
Term burst --> Row active
CA, A
10
/AP Term burst, New Read, Determine AP
CA, A
10
/AP Term burst, New Write, Determine AP
RA
ILLEGAL
A
10
/AP
Term burst, Precharge timing for Reads
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
NOP (Continue Burst to End --> Row Active)
X
Term burst --> Row active
CA, A
10
/AP Term burst, New read, Determine AP
CA, A
10
/AP Term burst, New Write, Determine AP
RA
ILLEGAL
A
10
/AP
Term burst, precharge timing for Writes
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
ILLEGAL
CA, A
10
/AP ILLEGAL
RA, RA
10
ILLEGAL
X
ILLEGAL
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
NOP (Continue Burst to End --> Precharge)
X
ILLEGAL
CA, A
10
/AP ILLEGAL
RA, RA
10
ILLEGAL
X
ILLEGAL
Row (& Bank) Active ; Latch RA
NOP
Auto Refresh or Self Refresh
Mode Register Access
NOP
NOP
ILLEGAL
4
5
5
OP code
X
X
X
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
X
Row
Active
2
2
Read
3
2
Write
3
3
2
3
Read with
Auto
Precharge
2
Write with
Auto
Precharge
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2505 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
| KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T | 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T |
| KB-F100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 200mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
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