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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00S009M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM × 2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 72/86頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M-D411 |
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MCP MEMORY
72
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Page Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
HIGH
Ra
Ca
Ra
CL=2
{
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
*NOTE:
1. To write data before burst read ends, DQM should be asserted three cycle prior to write
command to avoid bus contention.
2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, t
RDL
before Row precharge, will be written.
3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
4. t
DAL
,last data in to active delay, is 2CLK + t
RP
.
BA0
DQM
DQ
t
RDL
*Note 3
*Note 2
Cb
t
DAL
*Note 4
*Note 1
t
CDL
Read
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Cc
Cd
Rb
Rb
Qa1
Dd0
Qa0
Qb0
Dd1
Qb1
Qb2
Dc0
Dc1
Qa1
Dd0
Qa0
Qb0
Dd1
Qb1
Dc0
Dc1
t
RCD
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PDF描述 |
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