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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00S009M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動SDRAM × 2 |
| 文件頁數(shù)： | 61/86頁 |
| 文件大小： | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M-D411 |
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MCP MEMORY
61
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
tRDL =2CLK
tDAL =tRDL + tRP
*4
*NOTE:
1. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge interrupt but only another bank pre-
charge of four banks operation.
tRDL
*1
1
2
*NOTE:
1. SAMSUNG can support tRDL=2CLK .
2. Number of valid output data after row precharge : 1, 2 for CAS Latency = 2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after tRP from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same bank is illegal
4. tDAL defined Last data in to Active delay. SAMSUNG can support tDAL=tRDL+ tRP .
Auto Precharge Starts
*3
*2
*3
*2
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
6. Precharge
1) Normal Write
BL=4 & tRDL=2CLK
7. Auto Precharge
1) tRDL = 2CLK
CMD
DQ
CLK
DQM
WR
PRE
D
0
D
1
D
2
Masked by DQM
CMD
DQ
CLK
D
0
D
1
D
2
D
3
WR
PRE
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1) Normal Write (BL=4)
CLK
CMD
DQ
WR
Auto Precharge Starts@tRDL=2CLK
*3
D
0
D
1
D
2
D
3
ACT
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2505 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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