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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00S009M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動SDRAM × 2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M-D411 |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁
MCP MEMORY
2
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right
to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have
any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.
Revision No.
0.0
1.0
Remark
Preliminary
Final
History
Initial issue.
- 2Gb NAND DDP M-Die_ Ver 0.0
- 512Mb M-SDR DDP F-Die_Ver 1.0
<Common>
- Changed operating voltage : page 3
<NAND Flash> .... Ver 0.2
- Changed the technical note : page 15,16
- Finalize
Draft Date
March 27, 2005
May 27, 2005
Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s web site.
http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html
Document Title
Multi-Chip Package MEMORY
1G Bit (128Mx8) Nand Flash*2 / 256M Bit
(4Mx16x4Banks) Mobile SDRAM*2
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PDF描述 |
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| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KB-F100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 200mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
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