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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 52/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
52
Full Page Read/Write Cycle
Auto Refresh Cycle
High-Z
S
\
]
H
R
\
R:a
C:a
R:b
R
S
\
2
3
<
=
(
2
(
2
3
<
3
<
=
2
3
<
R:a
C:a
R:b
High-Z
S
\
]
R
S
\
S
T
I
R
S
H
I
R
I
S
T
I
R
S
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J
5
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@
I
J
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3
4
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2
3
(
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2
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2
3
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2
3
)
*
4
)
)
*
)
*
)
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Burst stop
Bank 3
Precharge
Bank 0
Active
Bank 0
Write
Bank 3
Active
Burst stop
Bank 3
Precharge
7
8
@
A
J
K
-
7
8
@
A
J
-
6
7
@
A
J
#
-
6
7
@
#
,
-
5
6
@
#
$
-
7
$
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7
8
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.
7
8
$
-
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7
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%
A
K
L
U
K
L
U
_
K
L
U
V
_
L
U
V
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U
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J
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^
CKE
RE
S
CE
W
Address
DQMB
Dout
Din
CK
BA
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
(
)
2
3
<
E
;
D
E
N
O
,
5
6
@
I
V
IH
V
IH
a
a+1
a+2
Read cycle
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = full page
= V or V
IL
Write cycle
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
= V or V
IL
a
a+1
a+2
a+3
a+5
a+4
Din
Dout
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
CK
CKE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
Din
Dout
'
(
/
0
8
9
@
A
H
I
M
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/
@
A
H
I
High-Z
RP
!
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*
2
:
;
:
B
C
L
A
I
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8
"
#
*
+
4
=
>
F
'
=
E
F
N
O
'
(
/
0
8
A
Precharge
If needed
Auto Refresh
Active
Bank 0
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Bank 0
R:a
C:a
A10=1
RE
!
*
2
3
:
;
D
:
C
D
L
H
I
J
$
,-
5
=
>
F
K
O
a
a+1
V
IH
Refresh cycle and
Read cycle
RE
-
CE
delay = 2
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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