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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 44/57頁 |
| 文件大小： | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
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2. In the case of different bank-active commands:
The interval between the two bank-active commands
must be no less than t
RRD
.
Bank active to bank active for different bank
Mode register set to Bank-active command interval:
The interval between setting the mode register and
executing a bank-active command must be no less than l
RSA
.
DQMB Control
The DQMB mask the DQ data. The timing of DQMB is different during reading and writing.
Reading:
When data is read, the output buffer can be controlled by DQMB. By setting DQMB to Low, the
output buffer becomes Low-Z, enabling data output. By setting DQMB to High, the output buffer becomes
High-Z, and the corresponding data is not output. However, internal reading operations continue. The laten-
cy of DQMB during reading is 3 clocks.
Writing:
Input data can be masked by DQMB. By setting DQMB to Low, data can be written. In addition,
when DQMB is set to High, the corresponding data is not written, and the previous data is held. The latency
of DQMB during writing is 1 clock.
CK
Command
Address
BA
Bank 0
Active
Bank 3
Active
ACTV
ROW:0
ACTV
ROW:1
t
RRD
CK
Command
Address
Mode
Register Set
Bank
Active
MRS
ACTV
I
RSA
BS & ROW
CODE
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PDF描述 |
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