- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52F169E1 (Hitachi,Ltd.) 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/57頁(yè) |
| 文件大小： | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)當(dāng)前第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)
HB52F169E1-75F
14
DC Characteristics (Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
Notes:
1.I
CC
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2.One bank operation.
3.Input signals are changed once per one clock.
4.Input signals are changed once per two clocks.
5.Input signals are changed once per four clocks.
6.After power down mode, CK operating current.
7.After power down mode, no CK operating current.
8.After self refresh mode set, self refresh current.
HB52F169E1-75F
PC133
CE latency = 4
PC100
CE latnecy = 3
Parameter
Operating current
Sym-
bol
I
CC1
Min
—
Max
2135
Min
—
Max
2135
Unit Test conditions
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
mA
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
Notes
1, 2, 3
Standby current in power
down
Standby current in power
down
(input signal stable)
Standby current in non
power down
Active standby current in
power down
Active standby current in
non power down
Burst operating current
Refresh current
Self refresh current
I
CC2P
—
749
—
749
6
I
CC2PS
—
731
—
731
7
I
CC2N
—
983
—
983
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
t
CK
= min, BL = 4
t
RC
= min
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
4
I
CC3P
—
767
—
767
mA
1, 2, 6
I
CC3N
—
1055
—
1055
mA
1, 2, 4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
—
—
2315
2765
713
—
—
—
1955
2765
713
mA
mA
mA
1, 2, 5
3
8
Input leakage current
Output leakage current
I
LI
I
LO
–10
–10
10
10
–10
–10
10
10
μ
A
μ
A
Output high voltage
Output low voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
—
0.4
2.4
—
—
0.4
V
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1-75B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52F88EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52F168EN | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52F328DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F329EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F648EN-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。