- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52F169E1 (Hitachi,Ltd.) 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/57頁(yè) |
| 文件大小： | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)當(dāng)前第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)
HB52F169E1-75F
16
AC Characteristics (Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V) (cont)
Notes:
1.AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.5 V.
2.Access time is measured at 1.5 V. Load condition is C
L
= 50 pF.
3.t
LZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4.t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5.t
CES
defines CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.5 V
Input waveform and output load: See following figures
HB52F169E1-75F
PC133
CE latency = 4
PC100
CE latency = 3
Parameter
Command setup time
Command hold time
Ref/Active to Ref/Active command
period
Active to precharge command period t
RAS
Active command to column
command (same bank)
Precharge to active command period t
RP
Write recovery or data-in to
precharge lead time
Active (a) to Active (b) command
period
Transition time (rise to fall)
Refresh period
HITA-
CHI-
Symbol
t
CS
t
CH
t
RC
PC100
Sym-
bol
Tsi
Thi
Trc
Min
1.9
1.5
67.5
Max
—
—
—
Min
2.6
1.6
70
Max
—
—
—
Unit Notes
ns
ns
ns
1
1, 5
1
Tras
Trcd
45
20
120000 50
—
120000 ns
—
1
1
t
RCD
20
ns
Trp
Tdpl
20
7.5
—
—
20
0
—
—
ns
ns
1
1
t
DPL
t
RRD
Trrd
15
—
20
—
ns
1
t
T
t
REF
1
—
5
64
1
—
5
64
ns
ms
t
T
2.4 V
0.4 V0.8 V
2.0 V
input
t
T
DQ
CL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1-75B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52F88EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52F168EN | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52F328DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F329EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F648EN-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。