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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 42/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
42
CE Latency = 4, Burst Length = 1, 2, 4, 8, full page burst
Write command to Precharge command interval (same bank):
When the precharge command is executed
for the same bank as the write command that preceded it, the minimum interval between the two commands
is 1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data must be masked by means of
DQMB for assurance of the clock defined by t
DPL
.
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank):
Burst Length = 4 (To stop write operation)
CK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
out A0
High-Z
l
HZP
= 4
CK
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
t
DPL
DQMB
CK
in A0
in A1
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
DQMB
t
DPL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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