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- IRF1010Z TO-220-3 IR芯片場效應(yīng)管 MOS管進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1010Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-3場效應(yīng)管代理芯片
- ≥1 個
  
  ￥5.00
- 詢價
- 美國萬代AOS 場效應(yīng)管 AO7405
  
  品牌:AO | 型號:AO7405 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥0.20
- 詢價
- 進口場效應(yīng)管 IRFF9530
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.80
- 詢價
- VISHAY15ETH06PBF，15ETH06場效應(yīng)管,
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:15ETH06PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
- ≥500 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- IRF1018ESL TO-262 IR芯片場效應(yīng)管 MOS管進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1018ESL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf 代理芯片
- ≥1 個
  
  ￥5.00
- 詢價
- PMOS 芯片電子器件貼片MOS管場效應(yīng)管 JX4435 SOP8 技術(shù)
  
  品牌:JX | 型號:JX4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos管場效應(yīng) 電子芯片電子貼片
- ≥2500 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- 雙NMOS 芯片電子器件貼片MOS管場效應(yīng)管SD4800 SOP8 技術(shù)
  
  品牌:SD | 型號:SD4800 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管電子芯片電子貼片
- ≥2500 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- TOSHIBA東芝 K3878 9A 900V MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3878 K3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個
  
  ￥5.00
- 詢價
- VISHAYIRFB20N50KPBF，IRFB20N50K場效應(yīng)管,
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFB20N50KPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型
- ≥2000 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- 進口場效應(yīng)管 IRFR024N
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR024N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥5000 個
  
  ￥0.90
- 詢價
- 場效應(yīng)管MOSFE IRFP133
  
  品牌:IR / VISHAY | 型號:IRFP133 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān)
- ≥50 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 場效應(yīng)管MOSFE IRFP9233PBF
  
  品牌:IR / VISHAY | 型號:IRFP9233PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān)
- ≥50 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 貼片場效應(yīng)管 2SK3078 東芝
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3078 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:功放 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
- ≥1 個
  
  ￥0.80
- 詢價
- IRF530NS TO-263-3 IR芯片場效應(yīng)管 MOS管進口
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irf530場效應(yīng)管代理芯片
- ≥1 個
  
  ￥5.00
- 詢價
- 場效應(yīng)管，SUB75N05-07
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUB75N05-07 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體
- ≥10 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- P溝道場效應(yīng)管 SI2301DS
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- 10-99 個
  
  ￥0.20
- 100-2999 個
  
  ￥0.10
- ≥3000 個
  
  ￥0.08
- 詢價
- 場效應(yīng)管，2SK1194
  
  品牌:新電元 | 型號:2SK1194 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體
- ≥10 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- 場效應(yīng)管，2SB906
  
  品牌:TOSHIBA | 型號:2SB906 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體
- ≥10 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- 場效應(yīng)管，2SC5886A
  
  品牌:TOSHIBA | 型號:2SC5886A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體
- ≥10 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- 場效應(yīng)管SI2312BDS SI2314EDS
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2312BDS SI2314EDS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:0 | 封裝形式:SOT23 | 應(yīng)用范圍:振蕩
- ≥3000 個
  
  ￥0.42
- 詢價

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