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- 芯片電子器件場(chǎng)效應(yīng)管貼片MOS管 Si4946BEY SOP8
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):Si4946BEY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片mos管電子芯片電子貼片
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- MOS場(chǎng)效應(yīng)管 SI9410DY-T1 SOP-8
  
  品牌:VISHAY(威世) | 型號(hào):SI9410DY-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.89
- 詢價(jià)
- SI場(chǎng)效應(yīng)管 SIF4N60C
  
  品牌:進(jìn)口/臺(tái)灣國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):SIF4N60C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥1 千克
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- MOS場(chǎng)效應(yīng)管 SI2303-CD-S SOT-23
  
  品牌:VISHAY(威世) | 型號(hào):SI2303-CD-S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途
- ≥5 個(gè)
  
  ￥0.38
- 詢價(jià)
- SI2301 SOT-23 P溝道MOS管場(chǎng)效應(yīng)管2301 3A大電流芯片
  
  品牌:HAOHAI浩海 | 型號(hào):SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管 2301mos管大電流mos管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- MOS 場(chǎng)效應(yīng)管集成電路進(jìn)口系列 SI4100DY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI4100DY | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管系列 VISHAY SiSA04DN
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SiSA04DN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 2SK3078 東芝
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK3078 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:功放 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- P溝道場(chǎng)效應(yīng)管 SI2301DS
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2301DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- 10-99 個(gè)
  
  ￥0.20
- 100-2999 個(gè)
  
  ￥0.10
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.08
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管SI2312BDS SI2314EDS
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2312BDS SI2314EDS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:0 | 封裝形式:SOT23 | 應(yīng)用范圍:振蕩
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.42
- 詢價(jià)
- 2SJ412 TO-251 東芝場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SJ412 TO-251 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):平面型 | 加工定制:否 | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:/ | 應(yīng)用范圍:功率
- ≥1 PCS
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 士蘭微場(chǎng)效應(yīng)MOS管SVF2N60M TO-251
  
  品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- 1-79 個(gè)
  
  ￥0.76
- 80-1999 個(gè)
  
  ￥0.67
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥0.63
- 詢價(jià)
- VISHAY/場(chǎng)效應(yīng)管30CPQ150PBF
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):30CPQ150PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 最大漏極電流:33 | 跨導(dǎo):33 | 開啟電壓:33
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.80
- 詢價(jià)