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  1. 場效應(yīng)管mos管

    • 場效應(yīng)管K15A60

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K15A60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥200 個

      ￥0.80

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    • 場效應(yīng)管K22322SK2232

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2232 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • 10-199 個

      ￥0.45

    • ≥200 個

      ￥0.40

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    • 左粵電子 2SK3566 K3566 MOS場效應(yīng)管

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K3566 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥10 個

      ￥0.65

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    • TOSHIBA東芝 K3878 9A 900V MOS場效應(yīng)管

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3878 K3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

    • ≥1 個

      ￥5.00

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    • 貼片場效應(yīng)管 2SK3078 東芝

      品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3078 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:功放 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)

    • ≥1 個

      ￥0.80

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    • 場效應(yīng)管，2SB906

      品牌:TOSHIBA | 型號:2SB906 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥10 個

      ￥0.01

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    • 場效應(yīng)管，2SC5886A

      品牌:TOSHIBA | 型號:2SC5886A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥10 個

      ￥0.01

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    • 2SJ412 TO-251 東芝場效應(yīng)管

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ412 TO-251 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:/ | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):平面型 | 加工定制:否 | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:/ | 應(yīng)用范圍:功率

    • ≥1 PCS

      ￥0.10

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    • MOS場效應(yīng)三極管 2SK3564 TO-220

      品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3564 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

    • ≥1 個

      ￥2.80

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