品牌:IR | 型號(hào):IRF540 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
￥0.55
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD10PF06T4 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
￥0.65
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRG4H50S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:40 | 低頻噪聲系數(shù):50 | 極間電容:1000
10-199 個(gè)
￥16.00
200-2999 個(gè)
￥13.00
≥3000 個(gè)
￥9.80
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB3207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):3 | 最大漏極電流:333 | 開啟電壓:33
≥1 個(gè)
￥8.00