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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON6973A DFN 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON6973A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON2405 DFN 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON2405 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO8807 TSSOP8 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO8807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON4605 DFN 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON4605 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 4406A SOP8 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO4406A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 8810 TSSOP8 技術(shù)
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):8810 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 4407A SOP8 技術(shù)
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):4407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO4419 SOP8
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 4620 SOP8 技術(shù)
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):4620 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N 和 P 溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO9926B SOP8 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO9926B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO4410 SOP8 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO4407A SOP8 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO4407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO 8820 TSSOP8 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO8820 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO4826 SOP8 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO4826 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AO4606 SOP8 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AO4606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AOZ8302CI-12 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AOZ8302CI-12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管萬(wàn)代mos管
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- VISHAYVS- 62CTQ030PBF,場(chǎng)效應(yīng)管,
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):62CTQ030 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道
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- 30V 單PMOS JX3401 電子器件貼片MOS管芯片場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)
  
  品牌:JXW | 型號(hào):JX3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 3401mos管電子芯片電子貼片
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- PMOS 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 JX4435 SOP8 技術(shù)
  
  品牌:JX | 型號(hào):JX4435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos管場(chǎng)效應(yīng) 電子芯片電子貼片
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- 進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管 IRFR024N
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFR024N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
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