應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電/CJ | 型號(hào):全新原裝 SI2301DS 印字A1SHB MOS場(chǎng)效應(yīng)管 貼片三極管 封裝 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片
≥100 PCS
¥0.10
品牌:NS/國(guó)半 | 型號(hào):LM2611BMFX | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:A
≥3000 千克
¥0.01
品牌:NS/國(guó)半 | 型號(hào):LM7121IM5X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:貼片型 | 截止頻率fT:A
≥3000 千克
¥0.01
品牌:OGFD | 型號(hào):2302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AON6414A AOS貼片效應(yīng)管系列原裝現(xiàn)貨 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SENSEFET電流敏感
≥1 個(gè)
¥0.50
品牌:MOT/TOSHIBA | 型號(hào):MC33218AP AC138 AC166 AC174 AC175 AC257 AC258 SOP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 功率:1 | 針腳數(shù):16 | 封裝:SOP16
≥1 個(gè)
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD8778 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 跨導(dǎo):* | 最大漏極電流:* | 開(kāi)啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
3-29 k
¥140.00
≥30 k
¥130.00
品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 功率:22 | 類型:其他IC | 批號(hào):新年份
≥1 個(gè)
¥0.55
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6N7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:貼片型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應(yīng)用范圍:振蕩
≥1 個(gè)
¥0.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):55000 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 批號(hào):12+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝:SOT-23
≥10 個(gè)
¥0.20