品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10000 個
￥1.45
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K30A-GR | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應(yīng)用范圍:放大
≥5000 個
￥1.45
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥5000 個
￥1.65
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK249 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V
≥3000 個
￥0.60
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK232 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V
≥3000 個
￥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK199 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個
￥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK210-BL | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:12~24mA
≥3000 個
￥1.30
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK211-Y | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:2.5~6mA
≥3000 個
￥0.85
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1875 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-20V | 漏極電流IDSS:16~32mA
≥3000 個
￥1.20
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220
≥5 個
￥2.00
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2611 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | to-3p:150W | 9A:900v | N溝道:焊機用
10-49 個
￥3.50
50-299 個
￥3.20
≥300 個
￥2.80
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TK20A60U | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:DIP
≥5 個
￥0.45
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8034-H TPC8035-H TPC8036-H TPC8037-H TPC8038-H | 功率:15 | 用途:線性 | 封裝:SOP-8 | 批號:12+
100-2499 PCS
￥1.10
≥2500 PCS
￥1.00
≥100 個
￥3.80
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCF8301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥4000 個
￥0.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6P41FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
￥0.55
≥10 個
￥3.50
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
￥2.30
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
￥1.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247
≥50 個
￥5.45