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- KIAmos管KIA3508A 封裝TO-220/263低壓MOS管
  
  品牌:KIA可易亞 | 型號(hào):KIA3508A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1000 K
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- P80NF03 大電流場(chǎng)效應(yīng)管P80NF03L-04
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):P80NF03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.68
- 1000-1999 個(gè)
  
  ￥0.65
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管 STP12NB50
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP12NB50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- IR場(chǎng)效應(yīng)管IRF540N IRF540
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF540N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.50
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 全系列控制器場(chǎng)效應(yīng)管ST P65NF06 60N06
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):P65NF06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- 10-999 個(gè)
  
  ￥0.35
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.28
- 詢價(jià)
- TOSHIBA東芝 K3878 9A 900V MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK3878 K3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- AP9971GJ TO-251 APEC/富鼎場(chǎng)效應(yīng)MOS管
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號(hào):AP9971GJ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥30 個(gè)
  
  ￥0.18
- 詢價(jià)
- MOS管場(chǎng)效應(yīng)管2N60 TO-252 華晶芯片 2A600V
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 參數(shù):2A600V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場(chǎng)效應(yīng)管華晶mos管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.58
- 詢價(jià)