品牌:ST/意法 | 型號(hào):P3NB60FP P3NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.40
5000-9999 個(gè)
¥0.38
≥10000 個(gè)
¥0.35
品牌:ST/意法 | 型號(hào):10NK80Z | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥200 個(gè)
¥1.30
品牌:ST/意法 | 型號(hào):P80NF03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
500-999 個(gè)
¥0.68
1000-1999 個(gè)
¥0.65
≥2000 個(gè)
¥0.60
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP12NB50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.60
品牌:ST/意法 | 型號(hào):P80NF70 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.35
5000-9999 個(gè)
¥0.32
≥10000 個(gè)
¥0.30
品牌:ST/意法 | 型號(hào):P65NF06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-999 個(gè)
¥0.35
≥1000 個(gè)
¥0.28
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP15NK50ZFP P15NK50ZFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 功率:1 | 電源電壓:1 | 封裝:TO-220F
≥5 個(gè)
¥1.80
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD10PF06T4 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
¥0.65